久米 徹二（クメ テツジ）
| KUME Tetsuji |  |
| 職名 | 教授 |
|---|---|
| 学科 | 電気電子・情報工学科 |
| コース | 電気電子コース |
研究概要
シリコン（Si)は、もっとも手に入りやすい元素のひとつで、半導体産業において汎用されています。最も安定な構造であるダイヤモンド構造は、発光や光吸収には適していない間接バンドギャップ半導体です。従来のSiの欠点を補うSiの同素体に関する研究は、基礎科学的だけでなく産業的な観点から非常に重要です。シリコンクラスレートは、光電変換素子の材料としてより適している1.8 eVの直接バンドギャップを有しているSi の同素体です。この直接ギャップを持つ同素体Siやその関連物質について、その物性を明らかにすることが研究テーマです。
研究に参加する学生は、様々な新規材料の作製、評価など開発を行います。多くの困難を伴いますが、これらを克服すれば、これまでにない新たな現象に出くわすでしょう。新材料の研究を通して得られるこれらの経験は、社会に出てからも役に立つと信じています。
Siクラスレート（構造II型）の結晶構造
研究キーワード
固体物性
クラスレート
Ⅳ元素
高圧力
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