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西田 哲(ニシダ サトシ)

NISHIDA Satoshi

職名 准教授
学科 機械工学科
コース 機械コース

研究概要

主に半導体材料としてよく使われるシリコン(ケイ素)の研究を行っています。主にガラスやシリコン基板上へのシリコン薄膜の製膜、分析を行っています。

最近の主な研究テーマとしては以下のものがあります。

  • プラズマジェットCVDによる高速製膜の機構解明と高品質化、均一化の実現
    高速のジェット(噴流)を使用したプラズマCVDで通常法の問題点である製膜速度を向上させる手法の開発、改良を行っています。

  • シリコンヘテロ接合の局所的な電気特性の解明
    一般的に売られている太陽電池で光のエネルギーを電気に変える効率(変換効率)の高いものにヘテロ接合型の太陽電池があります。この太陽電池では結晶シリコンの上にアモルファス(非晶質)のシリコンを堆積しています。

図1 プラズマジェットCVD中の製膜の様子 図2 CFDによるガス流れの計算結果

研究キーワード

 CVD、シリコン薄膜、太陽電池

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